1N1206A | GeneSiC Semiconductor 1N1206A | 1N1206A Inventory, Best Pricing

1N1206A

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Numéro d'article	1N1206A
LIXINC Part #	1N1206A
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N1206A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N1206A Caractéristiques

Numéro d'article:	1N1206A
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	12A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 12 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 50 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Chassis, Stud Mount
paquet / caisse:	DO-203AA, DO-4, Stud
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-4
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 200°C