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MRFE6VP8600HR5

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Numéro d'article	MRFE6VP8600HR5
LIXINC Part #	MRFE6VP8600HR5
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MRFE6VP8600HR5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MRFE6VP8600HR5 Caractéristiques

Numéro d'article:	MRFE6VP8600HR5
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Last Time Buy
à transistors:	LDMOS (Dual)
fréquence:	860MHz
gagner:	19.3dB
tension - test:	50 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	1.4 A
puissance - sortie:	125W
tension - nominale:	130 V
paquet / caisse:	NI-1230
paquet de dispositif de fournisseur:	NI-1230

BLC8G27LS-240AVJ	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521	995 Plus sur la commande
MWT-773	FET RF 5V 26GHZ PKG 73	1214 Plus sur la commande
CE3512K2-C1	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	21995 Plus sur la commande
BLF571,112	RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C	944 Plus sur la commande
BLL8H1214L-250U	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A	925 Plus sur la commande
BF1009SRE6327HTSA1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9996 Plus sur la commande
MRFG35003N6T1	RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C	4983 Plus sur la commande
MRF6S19060NR1	FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4	831 Plus sur la commande
BF904,215	RF	926 Plus sur la commande
2SJ266-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	6889 Plus sur la commande
STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	914 Plus sur la commande
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	1040 Plus sur la commande
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3839 Plus sur la commande