SI7913DN-T1-E3

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Numéro d'article SI7913DN-T1-E3
LIXINC Part # SI7913DN-T1-E3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI7913DN-T1-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI7913DN-T1-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI7913DN-T1-E3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5A
rds sur (max) @ id, vgs:37mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:24nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
puissance - maximum:1.3W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:PowerPAK® 1212-8 Dual
paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® 1212-8 Dual

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