SSM6N43FU,LF

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Numéro d'article SSM6N43FU,LF
LIXINC Part # SSM6N43FU,LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SSM6N43FU,LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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SSM6N43FU,LF Caractéristiques

Numéro d'article:SSM6N43FU,LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate, 1.5V Drive
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:500mA
rds sur (max) @ id, vgs:630mOhm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.23nC @ 4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:46pF @ 10V
puissance - maximum:200mW
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:US6

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