IRFH4257DTRPBF

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Numéro d'article IRFH4257DTRPBF
LIXINC Part # IRFH4257DTRPBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFH4257DTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRFH4257DTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRFH4257DTRPBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):25V
courant - drain continu (id) @ 25°c:25A
rds sur (max) @ id, vgs:3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 35µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:15nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1321pF @ 13V
puissance - maximum:25W, 28W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-PowerVDFN
paquet de dispositif de fournisseur:Dual PQFN (5x4)

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