APTGLQ200H120G | Roving Networks / Microchip Technology APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	APTGLQ200H120G
LIXINC Part #	APTGLQ200H120G
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTGLQ200H120G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTGLQ200H120G Caractéristiques

Numéro d'article:	APTGLQ200H120G
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Full Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	350 A
puissance - maximum:	1000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 200A
courant - coupure collecteur (max):	100 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	12.3 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SP6
paquet de dispositif de fournisseur:	SP6