FPF2G120BF07AS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS

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Numéro d'article	FPF2G120BF07AS
LIXINC Part #	FPF2G120BF07AS
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FPF2G120BF07AS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FPF2G120BF07AS Caractéristiques

Numéro d'article:	FPF2G120BF07AS
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Last Time Buy
type d'igbt:	Field Stop
configuration:	3 Independent
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	40 A
puissance - maximum:	156 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 40A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	-
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	F2