FP75R07N2E4BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FP75R07N2E4BOSA1 | FP75R07N2E4BOSA1 Inventory, Best Pricing

FP75R07N2E4BOSA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FP75R07N2E4BOSA1
LIXINC Part #	FP75R07N2E4BOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 650V 95A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FP75R07N2E4BOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FP75R07N2E4BOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	FP75R07N2E4BOSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	95 A
puissance - maximum:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 75A
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	4.6 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module