CY14B116M-BZ45XI

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Numéro d'article CY14B116M-BZ45XI
LIXINC Part # CY14B116M-BZ45XI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 45NS P
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14B116M-BZ45XI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B116M-BZ45XI Caractéristiques

Numéro d'article:CY14B116M-BZ45XI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:16Mb (1M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:45ns
temps d'accès:45 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (15x17)

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