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S26KS512SDGBHM030

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Numéro d'article S26KS512SDGBHM030
LIXINC Part # S26KS512SDGBHM030
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S26KS512SDGBHM030 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S26KS512SDGBHM030 Caractéristiques

Numéro d'article:S26KS512SDGBHM030
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:96 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:24-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:24-FBGA (6x8)

S26KS512SDGBHM030 Documents

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