11AA010T-I/MNY | Roving Networks / Microchip Technology 11AA010T-I/MNY

11AA010T-I/MNY

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Numéro d'article	11AA010T-I/MNY
LIXINC Part #	11AA010T-I/MNY
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8TDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	11AA010T-I/MNY Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

11AA010T-I/MNY Caractéristiques

Numéro d'article:	11AA010T-I/MNY
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	EEPROM
taille mémoire:	1Kb (128 x 8)
interface mémoire:	Single Wire
fréquence d'horloge:	100 kHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	5ms
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.8V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-WFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TDFN (2x3)