SUD50P04-23-GE3 | Vishay / Siliconix SUD50P04-23-GE3 | SUD50P04-23-GE3 Inventory, Best Pricing

SUD50P04-23-GE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SUD50P04-23-GE3
LIXINC Part #	SUD50P04-23-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SUD50P04-23-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SUD50P04-23-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SUD50P04-23-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.2A (Ta), 20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1880 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252, (D-Pak)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63