AOU2N60_001

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Numéro d'article AOU2N60_001
LIXINC Part # AOU2N60_001
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AOU2N60_001 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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AOU2N60_001 Caractéristiques

Numéro d'article:AOU2N60_001
Marque:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):56.8W (Tc)
température de fonctionnement:-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-251-3
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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