NTTS2P03R2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTS2P03R2G

NTTS2P03R2G

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Numéro d'article	NTTS2P03R2G
LIXINC Part #	NTTS2P03R2G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTTS2P03R2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTTS2P03R2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTTS2P03R2G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.1A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 2.48A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	500 pF @ 24 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	600mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Micro8™
paquet / caisse:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)