BFP193WE6327HTSA1

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Numéro d'article BFP193WE6327HTSA1
LIXINC Part # BFP193WE6327HTSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BFP193WE6327HTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BFP193WE6327HTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BFP193WE6327HTSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
fréquence - transition:8GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gagner:13.5dB ~ 20.5dB
puissance - maximum:580mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 30mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):80mA
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-82A, SOT-343
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT343-4

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