SI4226DY-T1-GE3

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Numéro d'article SI4226DY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4226DY-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI4226DY-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI4226DY-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI4226DY-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Standard
tension drain-source (vdss):25V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8A
rds sur (max) @ id, vgs:19.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:36nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1255pF @ 15V
puissance - maximum:3.2W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO

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