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AUIRF7343Q

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Numéro d'article	AUIRF7343Q
LIXINC Part #	AUIRF7343Q
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AUIRF7343Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AUIRF7343Q Caractéristiques

Numéro d'article:	AUIRF7343Q
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N and P-Channel
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	55V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.7A, 3.4A
rds sur (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	36nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	740pF @ 25V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO