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SIA912DJ-T1-GE3

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Numéro d'article	SIA912DJ-T1-GE3
LIXINC Part #	SIA912DJ-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SIA912DJ-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

SIA912DJ-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SIA912DJ-T1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	12V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.5A
rds sur (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11.5nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	400pF @ 6V
puissance - maximum:	6.5W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® SC-70-6 Dual