IRF7756GTRPBF

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Numéro d'article IRF7756GTRPBF
LIXINC Part # IRF7756GTRPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF7756GTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRF7756GTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF7756GTRPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):12V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.3A
rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:18nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1400pF @ 10V
puissance - maximum:1W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP

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