IPG20N06S4L14ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPG20N06S4L14ATMA1 | IPG20N06S4L14ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPG20N06S4L14ATMA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IPG20N06S4L14ATMA1
LIXINC Part #	IPG20N06S4L14ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPG20N06S4L14ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPG20N06S4L14ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPG20N06S4L14ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A
rds sur (max) @ id, vgs:	13.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 20µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	39nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2890pF @ 25V
puissance - maximum:	50W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-PowerVDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8-4