VS-GB75NA60UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB75NA60UF

VS-GB75NA60UF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	VS-GB75NA60UF
LIXINC Part #	VS-GB75NA60UF
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-GB75NA60UF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-GB75NA60UF Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-GB75NA60UF
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	NPT
configuration:	Single
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	109 A
puissance - maximum:	447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
courant - coupure collecteur (max):	50 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	-
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SOT-227-4, miniBLOC
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-227