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IDT71V25761YSA200BQ

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Numéro d'article IDT71V25761YSA200BQ
LIXINC Part # IDT71V25761YSA200BQ
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IDT71V25761YSA200BQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDT71V25761YSA200BQ Caractéristiques

Numéro d'article:IDT71V25761YSA200BQ
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:4.5Mb (128K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:5 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-CABGA (13x15)

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