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MT41J512M8RH-107:E

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Numéro d'article MT41J512M8RH-107:E
LIXINC Part # MT41J512M8RH-107:E
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT41J512M8RH-107:E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT41J512M8RH-107:E Caractéristiques

Numéro d'article:MT41J512M8RH-107:E
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR3
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:933 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:20 ns
tension - alimentation:1.425V ~ 1.575V
température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:78-FBGA (9x10.5)

MT41J512M8RH-107:E Documents

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