MMBTH10-4LT1G

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Numéro d'article MMBTH10-4LT1G
LIXINC Part # MMBTH10-4LT1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MMBTH10-4LT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMBTH10-4LT1G Caractéristiques

Numéro d'article:MMBTH10-4LT1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):25V
fréquence - transition:800MHz
facteur de bruit (db typ @ f):-
gagner:-
puissance - maximum:225mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 4mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)

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30000$0.02974$892.2
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