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1N2623B

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Numéro d'article	1N2623B
LIXINC Part #	1N2623B
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RECTIFIER DIODE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N2623B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N2623B Caractéristiques

Numéro d'article:	1N2623B
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	-
fréquence - transition:	-
facteur de bruit (db typ @ f):	-
gagner:	-
puissance - maximum:	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	-
courant - collecteur (ic) (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

2SA1669-TB-E	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON	919 Plus sur la commande
BLF7G22L-130112	RF POWER TRANSISTORS	892 Plus sur la commande
BFP420FH6327	RF TRANSISTOR, X BAND, NPN	2947 Plus sur la commande
NSVF5501SKT3G	RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ	804532981 Plus sur la commande
BFP740FESDH6327	RF TRANSISTOR, X BAND, NPN	143639 Plus sur la commande
BFP 740 H6327	RF TRANSISTOR, X BAND, NPN	2789 Plus sur la commande
40033	RF POWER TRANSISTOR	936 Plus sur la commande
2SC2839E-SPA-AC	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON	861 Plus sur la commande
BFP520FE6327	LOW-NOISE SI TRANSISTOR	15806 Plus sur la commande
HSG1002VE-TL-E	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN	520511 Plus sur la commande
NESG2101M05-T1-A	NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO	9937 Plus sur la commande
MS1015E	TRANSISTOR	847 Plus sur la commande
MDS500L	RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST	815 Plus sur la commande

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.38000	$5.38

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