IRF7757TR | IR (Infineon Technologies) IRF7757TR | IRF7757TR Inventory, Best Pricing

IRF7757TR

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Numéro d'article	IRF7757TR
LIXINC Part #	IRF7757TR
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF7757TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF7757TR Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF7757TR
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.8A
rds sur (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	23nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1340pF @ 15V
puissance - maximum:	1.2W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TSSOP