IRF6723M2DTR1P | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTR1P | IRF6723M2DTR1P Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTR1P

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Numéro d'article	IRF6723M2DTR1P
LIXINC Part #	IRF6723M2DTR1P
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF6723M2DTR1P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

IRF6723M2DTR1P Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF6723M2DTR1P
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	15A
rds sur (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 15V
puissance - maximum:	2.7W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DirectFET™ Isometric MA
paquet de dispositif de fournisseur:	DIRECTFET™ MA