2N7002DW L6327 | IR (Infineon Technologies) 2N7002DW L6327 | 2N7002DW L6327 Inventory, Best Pricing

2N7002DW L6327

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Numéro d'article	2N7002DW L6327
LIXINC Part #	2N7002DW L6327
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2N7002DW L6327 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2N7002DW L6327 Caractéristiques

Numéro d'article:	2N7002DW L6327
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	300mA
rds sur (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	0.6nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	20pF @ 25V
puissance - maximum:	500mW
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT363-6