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Numéro d'article | IPW65R190E6FKSA1 |
LIXINC Part # | IPW65R190E6FKSA1 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPW65R190E6FKSA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | IPW65R190E6FKSA1 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | CoolMOS™ |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 650 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 20.2A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 730µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 73 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1.62 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 151W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO247-3 |
paquet / caisse: | TO-247-3 |
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En stock | 16209 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.73000 | $1.73 |
240 | $1.73000 | $415.2 |
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