TSM3N100CP ROG

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Numéro d'article TSM3N100CP ROG
LIXINC Part # TSM3N100CP ROG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TSM3N100CP ROG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TSM3N100CP ROG Caractéristiques

Numéro d'article:TSM3N100CP ROG
Marque:TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:TSC (Taiwan Semiconductor)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:664 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):99W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252, (D-Pak)
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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