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Numéro d'article | SI4490DY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4490DY-T1-E3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI4490DY-T1-E3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SI4490DY-T1-E3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 200 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 2.85A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA (Min) |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | - |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1.56W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-SO |
paquet / caisse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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En stock | 11681 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.00000 | $2 |
2500 | $1.01440 | $2536 |
5000 | $0.97920 | $4896 |
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