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AUIRL7766M2TR

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Numéro d'article	AUIRL7766M2TR
LIXINC Part #	AUIRL7766M2TR
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AUIRL7766M2TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AUIRL7766M2TR Caractéristiques

Numéro d'article:	AUIRL7766M2TR
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	HEXFET®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	66 nC @ 4.5 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5.305 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DIRECTFET™ M4
paquet / caisse:	DirectFET™ Isometric M4