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Numéro d'article | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSZ16DN25NS3GATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 250 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 10.9A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 165mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 32µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 11.4 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 920 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 62.5W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TSDSON-8 |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN |
RM4N650T2 | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3 | 870 Plus sur la commande |
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IRFR3710ZTRLPBF | IRFR3710 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 965 Plus sur la commande |
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RJK0305DPB-02#J0 | MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK | 837 Plus sur la commande |
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FDV045P20L | MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23-3 | 2147484587 Plus sur la commande |
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SPA20N60C3 | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111 | 928 Plus sur la commande |
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BUZ41A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8525 Plus sur la commande |
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SPD02N60C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 911 Plus sur la commande |
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SQD40N06-25L-GE3 | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 | 823 Plus sur la commande |
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SIHF30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 | 1695 Plus sur la commande |
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FDS7766S | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 5882 Plus sur la commande |
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SUG80050E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC | 1273 Plus sur la commande |
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IRF520 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 15774 Plus sur la commande |
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SSS1N60B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4599 Plus sur la commande |
En stock | 18689 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.92000 | $1.92 |
5000 | $0.84383 | $4219.15 |
10000 | $0.82612 | $8261.2 |
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