STFW3N170

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Numéro d'article STFW3N170
LIXINC Part # STFW3N170
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STFW3N170 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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STFW3N170 Caractéristiques

Numéro d'article:STFW3N170
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:PowerMESH™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):1700 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:13Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):63W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:ISOWATT-218FX
paquet / caisse:ISOWATT218FX

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