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Numéro d'article | FDFMA3P029Z |
LIXINC Part # | FDFMA3P029Z |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDFMA3P029Z Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDFMA3P029Z |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 3.3A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | - |
rds sur (max) @ id, vgs: | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 10 V |
vg (max): | - |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 435 pF @ 15 V |
fonction fet: | Schottky Diode (Isolated) |
puissance dissipée (max): | 1.4W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 6-MicroFET (2x2) |
paquet / caisse: | 6-VDFN Exposed Pad |
FDBL0110N60 | MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF | 1037 Plus sur la commande |
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ISL9N302AP3 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3 | 3600 Plus sur la commande |
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NP60N055VUK-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3 | 841 Plus sur la commande |
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IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 | 808 Plus sur la commande |
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DMT3006LFG-7 | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 | 1053 Plus sur la commande |
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IRLR2705TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | 994 Plus sur la commande |
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IRFHS8242TRPBF | MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN | 4848 Plus sur la commande |
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FQPF10N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 | 3622 Plus sur la commande |
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RSD131P10TL | MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 | 985 Plus sur la commande |
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SI4430BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO | 928 Plus sur la commande |
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NTK3139PT5G | MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 | 104836 Plus sur la commande |
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IPD60R450E6ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 | 10687 Plus sur la commande |
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R6006JNJGTL | MOSFET N-CH 600V 6A LPTS | 1958 Plus sur la commande |
En stock | 14332 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.25000 | $0.25 |
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