NTMSD3P102R2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMSD3P102R2G

NTMSD3P102R2G

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Numéro d'article	NTMSD3P102R2G
LIXINC Part #	NTMSD3P102R2G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTMSD3P102R2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NTMSD3P102R2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTMSD3P102R2G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	FETKY™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.34A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 16 V
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	730mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)