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IRLH5036TRPBF

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Numéro d'article	IRLH5036TRPBF
LIXINC Part #	IRLH5036TRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRLH5036TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

IRLH5036TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRLH5036TRPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5360 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.6W (Ta), 160W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerVDFN