IKB20N60H3ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IKB20N60H3ATMA1 | IKB20N60H3ATMA1 Inventory, Best Pricing

IKB20N60H3ATMA1

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Numéro d'article	IKB20N60H3ATMA1
LIXINC Part #	IKB20N60H3ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 40A 170W TO263-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IKB20N60H3ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IKB20N60H3ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IKB20N60H3ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	TrenchStop®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	40 A
courant - collecteur pulsé (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 20A
puissance - maximum:	170 W
énergie de commutation:	690µJ
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	120 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	16ns/194ns
condition de test:	400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	112 ns
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	D²PAK (TO-263AB)