TK3R1A04PL,S4X

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Numéro d'article TK3R1A04PL,S4X
LIXINC Part # TK3R1A04PL,S4X
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK3R1A04PL,S4X Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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TK3R1A04PL,S4X Caractéristiques

Numéro d'article:TK3R1A04PL,S4X
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSIX-H
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:82A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:63.4 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4670 pF @ 20 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):36W (Tc)
température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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