CMLDM8120 TR

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Numéro d'article CMLDM8120 TR
LIXINC Part # CMLDM8120 TR
Fabricant Central Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CMLDM8120 TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CMLDM8120 TR Caractéristiques

Numéro d'article:CMLDM8120 TR
Marque:Central Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Central Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:860mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.56 nC @ 4.5 V
vg (max):8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 16 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):150mW (Ta)
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-563
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666

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