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Numéro d'article | FDT3612 |
LIXINC Part # | FDT3612 |
Fabricant | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDT3612 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDT3612 |
Marque: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 3.7A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 120mOhm @ 3.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 632 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | SOT-223-4 |
paquet / caisse: | TO-261-4, TO-261AA |
TK30E06N1,S1X | MOSFET N-CH 60V 43A TO220 | 831 Plus sur la commande |
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IRFB7546PBF | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | 1389 Plus sur la commande |
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STP4NK50ZD | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | 2991 Plus sur la commande |
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SIHP15N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | 1960 Plus sur la commande |
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PSMN1R9-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 8283 Plus sur la commande |
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UF3C065030K3S | SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 | 1326 Plus sur la commande |
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AOUS66616 | MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8 | 3887 Plus sur la commande |
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STB80NF55L-08-1 | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | 818 Plus sur la commande |
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SPW11N60CFDFKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 6104 Plus sur la commande |
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BUK7604-40A,118 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 6458 Plus sur la commande |
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IPS075N03LGAKMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | 22013 Plus sur la commande |
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AON6268 | MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN | 4244 Plus sur la commande |
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FQP2N40-F080 | MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3 | 976 Plus sur la commande |
En stock | 10824 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.64000 | $0.64 |
4000 | $0.25701 | $1028.04 |
8000 | $0.23929 | $1914.32 |
12000 | $0.23042 | $2765.04 |
28000 | $0.22559 | $6316.52 |
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