TK30E06N1,S1X

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Numéro d'article TK30E06N1,S1X
LIXINC Part # TK30E06N1,S1X
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK30E06N1,S1X Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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TK30E06N1,S1X Caractéristiques

Numéro d'article:TK30E06N1,S1X
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVIII-H
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:43A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1050 pF @ 30 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):53W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220
paquet / caisse:TO-220-3

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