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Numéro d'article | TK65S04N1L,LQ |
LIXINC Part # | TK65S04N1L,LQ |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TK65S04N1L,LQ Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | TK65S04N1L,LQ |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | U-MOSVIII-H |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 65A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 4.3mOhm @ 32.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 300µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2550 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 107W (Tc) |
température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | DPAK+ |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
VP2106N3-G | MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 | 1576 Plus sur la commande |
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IRFH5015TRPBF | MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN | 1356 Plus sur la commande |
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IPP037N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 910 Plus sur la commande |
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IXTH2N150L | MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 | 892 Plus sur la commande |
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IPD30N06S2L23ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 846 Plus sur la commande |
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FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 1156 Plus sur la commande |
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STD52P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 52A DPAK | 2578 Plus sur la commande |
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DMN2005UFG-7 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | 6435 Plus sur la commande |
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IPA028N08N3G | IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6949 Plus sur la commande |
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FDS7766 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 12069 Plus sur la commande |
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FDMS8350L | MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 | 3835 Plus sur la commande |
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SST214 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1823 Plus sur la commande |
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FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN | 3305 Plus sur la commande |
En stock | 13511 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.90000 | $1.9 |
2000 | $0.85033 | $1700.66 |
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