NTD4856N-1G

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Numéro d'article NTD4856N-1G
LIXINC Part # NTD4856N-1G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTD4856N-1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTD4856N-1G Caractéristiques

Numéro d'article:NTD4856N-1G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:13.3A (Ta), 89A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 4.5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2.241 pF @ 12 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.33W (Ta), 60W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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