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Numéro d'article | IPN70R360P7SATMA1 |
LIXINC Part # | IPN70R360P7SATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPN70R360P7SATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | IPN70R360P7SATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | CoolMOS™ P7 |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 700 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 12.5A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 360mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 150µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 16.4 nC @ 10 V |
vg (max): | ±16V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 517 pF @ 400 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 7.2W (Tc) |
température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-SOT223 |
paquet / caisse: | TO-261-3 |
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BSO110N03MSGXUMA1 | MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO | 849 Plus sur la commande |
En stock | 10955 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.07000 | $1.07 |
3000 | $0.49835 | $1495.05 |
6000 | $0.47616 | $2856.96 |
15000 | $0.46032 | $6904.8 |
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