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Numéro d'article | SIRA06DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIRA06DP-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIRA06DP-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIRA06DP-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.5mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.2V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 77 nC @ 10 V |
vg (max): | +20V, -16V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 3595 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PowerPAK® SO-8 |
paquet / caisse: | PowerPAK® SO-8 |
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TK60P03M1,RQ(S | MOSFET N-CH 30V 60A DPAK | 951 Plus sur la commande |
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VN2460N8-G | MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA | 1164 Plus sur la commande |
En stock | 11119 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.29000 | $1.29 |
3000 | $0.57544 | $1726.32 |
6000 | $0.54843 | $3290.58 |
15000 | $0.52913 | $7936.95 |
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