SI3993DV-T1-E3

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Numéro d'article SI3993DV-T1-E3
LIXINC Part # SI3993DV-T1-E3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI3993DV-T1-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI3993DV-T1-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI3993DV-T1-E3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:1.8A
rds sur (max) @ id, vgs:133mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
puissance - maximum:830mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP

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