IRF5810TR

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Numéro d'article IRF5810TR
LIXINC Part # IRF5810TR
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF5810TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF5810TR Caractéristiques

Numéro d'article:IRF5810TR
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.9A
rds sur (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:9.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:650pF @ 16V
puissance - maximum:960mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP

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