BSC072N03LDGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC072N03LDGATMA1 | BSC072N03LDGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC072N03LDGATMA1

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Numéro d'article	BSC072N03LDGATMA1
LIXINC Part #	BSC072N03LDGATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSC072N03LDGATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

BSC072N03LDGATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSC072N03LDGATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11.5A
rds sur (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	41nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3500pF @ 15V
puissance - maximum:	57W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-PowerVDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8-4