SP8J1TB

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Numéro d'article SP8J1TB
LIXINC Part # SP8J1TB
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SP8J1TB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SP8J1TB Caractéristiques

Numéro d'article:SP8J1TB
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5A
rds sur (max) @ id, vgs:42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1400pF @ 10V
puissance - maximum:2W
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP

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